向来在供应链上予取予求的苹果，这次也碰壁了。据韩媒 Digital Daily 报道，苹果此前试图与长鑫商谈更低的内存部件价格，却遭到了长鑫的回绝。面对压价要求，长鑫给出了不低于三星和海力士的报价。赋予长鑫谈判底气的，自然是供需关系的严重失衡。手机、主机、游戏机，目之所及，举凡需要用到存储芯片的产品，都在眼下这场迁延日久、且至少将维持到 2028 年的存储涨价大潮中被波及。内存，这个曾经的「白菜价」零部件，如今却价比黄金。但这波涨价潮，也给了几家头部存储厂商一项超能力：有钱。于是，丰厚的现金储备纷纷砸向研发，过去一周，存储行业几乎每天都有新技术发布——谁能提前锁定新的行业标准，谁就是未来十年的大赢家。一场新内存战争打响了。三星：更快、更强、更贵昨天，三星在圣克拉拉举办的未来内存与存储大会（Future of Memory and Storage, FMS）上一口气拿出了近 30 款存储技术更新。率先端上来的是下一代 NAND 闪存芯片 V10 BV-NAND。作为存储厂商通过 3D 堆叠存储单元增加容量的最新「叠叠乐」成果，用上了「晶圆键合」技术的 V10 BV-NAND 堆叠层数直抵 400+ 层，远超当前量产的 V9 版本的 286 层。理所当然地，内存密度也提升了 58%，并在 I/O 性能上有所突破。简言之，「同等体积内提供更大容量」的闪存发展定律目前仍然有效。只不过更复杂的工艺，也许会成为下一轮涨价的理由。在 AI 服务器专用的下一代 HBM 内存发展思路上，三星则与华为的「韬定律」殊途同归——既然晶圆生产不可能瞬间提上来，那提升性能的最佳方式只能是在设计上动脑筋，尽可能地降低时延，发挥出目前被数据搬运耗时拖累的计算性能。由此诞生的产物，便是最新的概念模型：zHBM。虽说前面的 z 让整个名字开始长得像验证码，但它的含义倒是很好理解——z 代表 zero-distance（零距离）。传统的 HBM 和处理器有点像基板上相邻的高楼和厂房，数据从高楼（HBM）搬到处理工厂（处理器）还要走一段路，这段距离消耗的时间都是实打实的性能浪费。于是，zHBM 把垂直空间发挥到极致，直接将 HBM 堆叠到处理器上方。跑一层楼，数据就能直抵处理器，从而最大限度地降低时延。结合刚刚说过的晶圆键合技术和下一代接口，三星预期 zHBM 的性能大约是 HBM5 的 8 倍，存储密度超过 HBM5 10 倍以上，能效提升 3 倍，热阻降低过半。用今天的眼光看来，堪称是科幻级的产品。当然，离处理器很近的 zHBM 离我们还很远，三星或许需要五年以上的时间来解决垂直堆叠带来的散热问题。在那之前，还隔着即将量产的 HBM4E 和 HBM5，而业界预期 HBM4E 的价格将会是 HBM4 的两倍，更别说 HBM4 本身的价格也很可能从今年下半年的 2 美元/Gb 上涨到明年的 4~5 美元/Gb。朋友们，「内存是最好的理财产品」这句话还是太权威了。作为存储涨价大潮最直接的受益者之一，三星绝对不希望打价格战，而是打算走「高端精品」路线，依靠先进技术制定行业标准，将自己打造成「内存界的爱马仕」。闪迪 & SK 海力士：HBM「平替」也是好生意另一厢，目前的 HBM 龙头 SK 海力士还没有发布像 zHBM 这样的概念性前瞻产品，毕竟根据当前路线图，等海力士循序渐进开发到 HBM5E 也是 2031 年的事了。这不代表他们没有新动作。就在三星发布会的前一天，海力士联合闪迪共同发布了 HBF（高带宽闪存）的首份技术规范，Google 和 AI 芯片公司 Tenstorrent 也已加入这个标准化联盟。从签署合作备忘录到规范落地，HBF 只用了六个月。与 HBM（高带宽内存）相对，一字之差的 HBF 目标就是成为「闪存版 HBM」，即运用相对更廉价的堆叠式高带宽闪存代替内存，来补足「HBM 太贵、SSD 太慢」的需求缺口。当然，如果 HBM 足够便宜，完全使用 HBM 才是最佳方案；但眼看着内存价格突破天际，数据中心也不得不曲线救国。要知道，主流的 12 层 36GB HBM 模组的价格已经喊到了 300—500 美元一颗，而你可以用相近的成本堆叠出高达 512GB 的 HBF 模组，容量是 HBM 的十多倍。但 HBF 不完全是 HBM 的「平替」，因为二者的延迟速度差了两个数量级，像 AI 模型推理过程中高频访问的 KV Cache 等热数据，还是只能放在 HBM。HBF 瞄准的更多是一个此前缺乏合适解决方案的中间层市场，亦即构建出一个类似当前 CPU 多级缓存的分层存储方案，只让 HBM 负责读写变化最频繁的数据，模型权重与上下文历史等相对稳定的数据则挪到 HBF，用分工提升系统整体效率。HBM 的光芒，可能让很多人忘记了海力士本身就是全球第二大 NAND 厂商。HBF 一旦落地，海力士在全球存储版图中的制霸将更加稳固。不仅要做得更高，还要做得更广，这就是海力士的战略意图所在。有人可能要问，HBF 能让内存降价吗？答案可能比单纯的「不能」更糟糕。先不说远水救不了近火——HBF 至少要到 2028 年才能投入商业化应用——哪怕它确实替代了部分服务器的 HBM 需求，省出来的资源也会被 AI 参数规模与上下文窗口的扩张瞬间吞噬。在整体需求远远未看到天花板的情况下，新技术也不能改变内存紧缺的现状，反倒是支持多达 20 层 NAND 堆叠的 HBF 会大幅提升数据中心对 NAND 闪存的需求——是的，固态硬盘也要大涨价了。长鑫：国产内存「拯救世界」就在这个当口，供应链传出消息：长鑫存储的 LPDDR6 内存已经进入送样阶段，有望于今年下半年实现量产。如果消息属实，长鑫科技就不再是落后一两代的追赶者，而是有能力与三星、SK 海力士一道生产符合最新标准的内存。更重要的是，消费者真的能买到长鑫的产品。前几天，《日经亚洲》获悉惠普、宏碁和华硕等 PC 大厂已经在今年先后完成了对长鑫 DRAM 内存的认证流程，开始少量采购长鑫内存。结合早前苹果公司游说美国政府希望放行使用长鑫存储芯片的新闻，我们大可以这样认为：作为追赶者，长鑫的产能不会被 HBM 等高端业务锁定，已经形成业务的都是 DRAM 内存，这反倒给了长鑫一个难得的历史机遇——争夺被「御三家」抛弃的消费端市场。在这个数据中心商用产品严重挤占普通 DDR、LPDDR 内存产能的时代，「买得到」比性能本身更重要。哪怕长鑫的主流产品仍落后于一线梯队，但对于被内存风暴撕扯得无处安身的消费电子厂商而言，任何形式的供给都可算是久旱逢甘霖。消费端的迫切，还产生了奇特的利润倒挂。今年 3 月的财报电话会议上，美光管理层承认，传统 DRAM 产品的边际利润率甚至超越了 HBM 内存。因为商业合同至少会将报价锁定几个月，而消费 DRAM 几乎一天一个价的涨幅，会实时反映到利润率之上。长鑫也确实在全力应对这一需求。据估算，到 2026 年底，长鑫的 12 寸 DRAM 晶圆月产能将达到 35 万片，已经相当接近美光每月 37.5 万片的数字。只可惜，对于已经陷入挤兑的内存市场，任何形式的增产都很难单方面改变市场走势。这里面的逻辑在于：任何预期到内存价格仍将继续走高的厂商，都会为了保障供应而尽可能地扩大库存，进而加剧内存短缺，于是便再次巩固了内存价格将继续飞涨的共识。过往经验告诉我们，一旦社会陷入到这种循环，哪怕是便宜、量大的食盐和卫生纸都可能出现短缺，更何况是昂贵的内存芯片？所以，哪怕长鑫的崛起能「拯救」消费端市场，也只能救一点点；在可预测的将来，这轮超级内存周期都看不到终点。此前半年，消费电子行业还处于一种接近「功能代偿」的状态，即通过消耗库存、停产低端产品、承受更低利润等形式，尽可能避免让内存涨价直接冲击消费市场。但随着所有缓冲被打破，接下来的秋冬季节，将比此前任何一年都更难熬。昨天的发布会上，余承东更是直言：所有手机都可能大规模涨价，否则将陷入亏本销售的境地。「内存战争」打到现在，一个明显的趋势是——三星和海力士正在做得更贵、更新，试图将未来十年的存储生态与标准，和自家产品高度捆绑。另一方面，长鑫存储正在巨头们空出来的消费级内存市场快速发育。但对于像你我这样的普通消费者而言，唯一能做的，似乎就只有乖乖掏出钱包，成为这场「新内存战争」的见证者。